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- [发明专利]源气体供给装置-CN200980138274.4无效
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李炳一;张锡弼;朴暻完;宋钟镐
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泰拉半导体株式会社
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2009-09-30
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2011-08-24
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H01L21/205
- 一种采用化学气相沉积法进行薄膜蒸镀时将源物质进行气化并供给蒸镀室的源气体供给装置。该源气体供给装置(200)包括：源气体生成部(210)，加热源物质而生成源气体；源气体凝结部(240)，使在源气体生成部生成的源气体流入并被凝结；在此，使源气体从源气体生成部(210)流入源气体凝结部(240)，并且在源气体凝结部(240)凝结源气体，直至在源气体凝结部(240)凝结的源气体的凝结量达到饱和凝结量为止；当在源气体凝结部(240)内凝结的源气体的凝结量达到饱和凝结量之后，阻断源气体从源气体生成部(210)流入源气体凝结部(240)，使在源气体凝结部(240)内凝结的源气体流入蒸镀室(250)。
- 气体供给装置
- [发明专利]一种化学气相沉积系统-CN201710188533.0有效
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郭国平;杨晖;李海欧;曹刚;肖明;郭光灿
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中国科学技术大学
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2017-03-27
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2020-01-03
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C23C16/448
- 本发明提供了一种化学气相沉积系统，包括：化学沉积室；所述化学沉积室包括反应腔体；设置与化学沉积室外的高温加热装置；与化学沉积室相连通的气体供给系统；所述气体供给系统包括气体源进气管与固体源气体进气管，所述固体源气体进气管位于气体源进气管的管内；所述固体源气体进气管的出口与所述化学沉积室的反应腔体相连通；所述气体源进气管的出口与所述化学沉积室的反应腔体相连通；与化学沉积室的反应腔体相连通的真空系统。与现有技术相比，本发明将固体源气体进气管与气体源气体进气管分开，使固体源气体完全不受气体源气体的影响，从而实现对固体源气体的控制。
- 一种化学沉积系统
- [发明专利]形成硫属化合物薄膜的方法-CN200980113520.0有效
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李起薰;李正旭;柳东浩
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株式会社IPS
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2009-04-16
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2011-04-06
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H01L21/205
- 在根据本发明的形成硫属化合物薄膜的方法中，将其中形成有图案的基板载入至反应器中，以及将源气体供应至基板。此处，源气体包括选自锗源气体、镓源气体、铟源气体、硒源气体、锑源气体、碲源气体、锡源气体、银源气体及硫源气体的至少一者。第一冲洗气体供应至基板以便冲洗供应至基板的源气体，然后将用于还原源气体的反应气体供应至基板，以及将第二冲洗气体供应至基板以便冲洗供应至基板的反应气体。至少一次操作，即以此方式执行改变第一冲洗气体的供应时间及/或调节反应器内部的压力，使得在图案内部的沉积速度大于在图案上部的沉积速度。根据本发明，藉由以此方式改变源气体的冲洗时间或调节反应器内部的压力，使得在图案内部的薄膜形成速度大于在图案上部的薄膜形成速度。
- 形成化合物薄膜方法
- [实用新型]一种化学气相沉积系统-CN201720306140.0有效
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郭国平;杨晖;李海欧;曹刚;肖明;郭光灿
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中国科学技术大学
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2017-03-27
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2017-11-03
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C23C16/448
- 本实用新型提供了一种化学气相沉积系统，包括化学沉积室；化学沉积室包括反应腔体；设置于化学沉积室外的高温加热装置；与化学沉积室相连通的气体供给系统；气体供给系统包括气体源进气管与固体源气体进气管，固体源气体进气管位于气体源进气管的管内；固体源气体进气管的出口与所述化学沉积室的反应腔体相连通；气体源进气管的出口与所述化学沉积室的反应腔体相连通；与化学沉积室的反应腔体相连通的真空系统。与现有技术相比，本实用新型将固体源气体进气管与固体源气体进气管分开，使固体源气体完全不受气体源气体的影响，使两种源无交叉污染生长；通过将固体源移到固体加热装置里，使其不受高温辐射的影响，实现对固体源蒸发速率的控制
- 一种化学沉积系统
- [发明专利]喷淋头以及气相沉积反应腔-CN201310128256.6无效
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林翔
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光垒光电科技（上海）有限公司
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2013-04-12
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2013-06-26
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C23C16/455
- 本发明涉及一种应用于III-V族材料沉积反应腔的喷淋头，所述反应腔包括气体反应区域，所述喷淋头邻近所述反应区域设置，所述喷淋头包括相互隔离的III族源气体腔、冷却腔和V族源气体腔，所述V族源气体腔邻近所述反应区域设置，所述III族源气体腔设置于所述V族源气体腔背离所述反应区域的一侧，所述冷却腔设置在所述III族源气体腔和V族源气体腔之间。所述V族源气体腔没有所述冷却腔的阻挡，来自所述反应区域的热辐射能加热所述V族源气体腔，有助V族源气体的分解；并且，所述冷却腔阻挡所述III族源气体腔以降低所述III族源气体腔中的III族源气体的温度，防止III族源气体过快分解，从而提高沉积效率。
- 喷淋以及沉积反应
- [实用新型]安全气体源钢瓶-CN201320733047.X有效
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王陆平;许从应;李英辉;马潇;朱颜;王仕华;王智
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苏州丹百利电子材料有限公司
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2013-11-19
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2014-05-28
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F17C1/14
- 本实用新型涉及安全气体源钢瓶，钢瓶的瓶体呈方形结构，钢瓶外形长度为25mm～160mm，宽度为25mm～160mm，高度为25mm～500mm，瓶体上设有气体阀门接口，气体阀门接口上安装气体阀门，瓶体内放置有吸附剂将钢瓶设计为与气柜仓相同的方形结构，实现在同样大小空间的情况下，增加钢瓶的有效体积，从而增加钢瓶的储气和供气量，达到优化安全气体源和气柜使用效率的目的。易于制造，钢瓶使用效率高，特别适合对空间利用率要求高的大规模集成电路生产场合，由于钢瓶储气量增加而减少钢瓶置换频率，使剧毒气体和超高压带来的安全隐患也大大减少。
- 安全气体钢瓶
- [发明专利]MOCVD设备的喷淋头及MOCVD设备-CN201310360260.5无效
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谭华强;黄允文;乔徽;林翔;苏育家
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光垒光电科技（上海）有限公司
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2013-08-16
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2013-11-27
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C23C16/455
- 本发明提供了一种MOCVD设备的喷淋头，包括：III族源气体腔、多个III族源气体管道、冷却腔和热壁板；所述冷却腔位于所述III族源气体腔和所述热壁板之间；所述热壁板上设有多个通孔，所述III族源气体管道的一端设置于所述通孔的内部，所述III族源气体管道的另一端与所述III族源气体腔连接；其中，III族源气体管道穿过的通孔为第一通孔，所述第一通孔的孔径沿所述III族源气体管道延伸方向不唯一。在本发明提供的MOCVD设备的喷淋头中，通过调整热壁板中第一通孔的形状，使得热壁板的孔壁至少有一部分远离III族源气体管道，减少热壁板向III族源气体管道辐射的热量，由此降低III族源气体管道中的III族源气体的温度，减少III族源气体的预分解，从而提高设备的沉积效率。
- mocvd设备喷淋
- [发明专利]温室气体排放的监测方法-CN201010237363.9无效
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张凯秋
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张凯秋
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2010-07-27
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2012-02-01
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G01N21/84
- 本发明涉及温室气体排放的监测的技术领域。现有的大规模温室气体排放的监测。由于温室气体排放源繁杂混乱，造成温室气体排放的监测困难。为了克服温室气体排放源繁杂混乱，造成温室气体排放的监测困难。特发明了温室气体排放的监测的方法来克服上述问题。具体实施方式1、本发明是首先通过理顺温室气体源。然后进行监测的。即将温室气体源分为清洁生产源、清洁消耗源二大监测源进行监测。2、对二大监测源使用计算机进行视频技术监测温室气体排放的具体情景。
- 温室气体排放监测方法
- [发明专利]感应加热炉的气体循环及冷却设备-CN201210466222.3有效
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李金昌
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昆山市大金机械设备厂
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2012-11-18
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2013-02-06
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F27D9/00
- 本发明揭示了一种感应加热炉的气体循环及冷却设备，包括：气体输出通路、气体输入通路、内循环气体源和冷却气体源。气体输出通路包括出气风扇、输出管道和气体输出口，气体输出口连通到感应加热炉。气体输入通路包括吸气风扇、吸气管道和气体输入口，气体输入口连通到感应加热炉。内循环气体源连接到气体输出通路和气体输入通路，与气体输出通路和气体输入通路共同形成内循环气体路径。冷却气体源连接到气体输出通路和气体输入通路，与气体输出通路和气体输入通路共同形成冷却气体路径，冷却气体源具有冷却设备。其中气体输出通路和气体输入通路仅与内循环气体源或者冷却气体源的其中之一连通。
- 感应加热炉气体循环冷却设备
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